Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Descripción

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

DESCRIPCIÓN

RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.

CARACTERISTICAS

1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete

2. Empleando el paquete de molde

3. Alta potencia y alta eficiencia

Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz

Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz

4. Diodo integrado de protección de la puerta.

APLICACION

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.