Descripción
MOSFET de canal N fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Este componente de potencia soporta 200 V y 40 A con disipación de 160 W, resultando adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia. Su arquitectura optimizada para conmutación de alta velocidad lo posiciona como solución preferente en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas de gestión energética industrial donde se requieren transiciones rápidas y pérdidas mínimas de conmutación.
Características Generales
- • Tipo: MOSFET Canal-N
- • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
- • Corriente continua de drenaje (ID): 40 A
- • Disipación de potencia: 160 W
- • Proceso de fabricación: STripFET
- • Encapsulado: TO-220AB
- • Aplicación primaria: Interruptor en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia
Desempeño Eléctrico
- Voltaje máximo: 200 V
- Corriente máxima: 40 A
- Potencia disipación: 160 W
- Capacitancia de entrada minimizada
- Carga de puerta reducida
Físico / Mecánico
- Encapsulado: TO-220AB
- Montaje: A través de orificio (THT)
- Compatible con disipadores estándar
- Terminales: Drenaje, Fuente, Puerta
Contenido del Paquete
- 1 × MOSFET STP40N20
- Encapsulado TO-220AB
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